看著虛擬屏幕上的二級任務獎勵，韓元的喉結動了動，情不自禁的咽了下口水。
翻身，起立，他飛奔回書房打開電腦，從網上搜索著有關芯片相關的信息。
【碳基芯片、仿生機器人、元宇宙、超時空音樂會……云棲大會即將開幕，將重磅發布核心技術。】
【碳基芯片成華威救命稻草，華威主動公開專利，引發華米碳基芯片對決。】
【硅基芯片即將到達極限？臺積電再傳好消息，我國早已布局。】
【硅基芯片物理極限是七納米，為何臺積電卻依然能做出五納米的芯片?】
【硅基光電子與微電子單片集成研究進展.......】
網頁上，一條又一條和芯片有關的信息映入韓元眼中。
十余分鐘后，他終于放下了鼠標，身體往后一倒，靠在椅背上。
硅基芯片有另外一個名字，叫做‘硅基光電子集成芯片’。
從命名來看，這個‘碳基集成電路板’幾乎可以確認屬于集成芯片中的概念。
只是不知道這個集成電路能達到一個什么樣的地步？
能不能突破硅基芯片極限？
對于這個，韓元很是期待。
要知道，傳統的硅基芯片是有極限的。
這是物理極限，由硅原子和硅晶格的直徑決定的，硅原子的直徑是0.117納米，但硅晶格的直徑是0.5納米左右。
當硅基芯片突破1nm之后，量子隧穿效應將使得“電子失控”，芯片就完全失效。
準確的說，傳統的硅基芯片在5nm，甚至7nm以下，就已經存在量子隧穿效應了。
但后面科學家通過不斷的更換晶體管的材料來打破這個極限。
世界上最小的晶體管是柵極長度為1納米的二硫化鉬。
但無論再怎么更換晶體管的材料，硅基底的物理特性擺在了哪里。
也就是說，硅基半導體材料的極限注定在一納米這個數字上。
低于一納米，穿梭在晶體管中的電子會直接擊穿硅基底的晶格結構，從而造成電子亂串。
這也就是所謂的‘量子隧穿效應’，亦是硅基芯片的極限。
然而這也只是理論，實際上由于物理所限，硅基芯片技術能做到兩納米幾乎是極限了，硅基管不能再小了。
一納米，那幾乎就是黑科技。
所以芯片如果想要再進一步發展，那么尋找其他的材料來替換硅半導體這是必須的。
有關碳基芯片的消息，韓元也是知道一些的。
畢竟前些年的時候網絡上鬧的轟轟烈烈的。
什么碳基芯片彎道超車。
什么硅基芯片被強制壟斷，我國發展碳基芯片，打破西方全線圍堵。
各種有關的消息在網上遍地都是，他又不是村里剛通2G網。
當時的他還沒有畢業，對于這種東西還是挺感興趣的。
畢竟真要能研制出來碳基芯片這種東西，那華國的騰飛將是注定的，誰也無法阻止。
真要說為國奉獻出所有他也做不到，但不代表他不能為國家高速發展而高興。
但后面偶爾在和學校的教授聊過這個話題后，韓元就放下這種想法。