高能離子注入這是對現代化集成芯片的要求。
對于他來說，目前只要能將鋁離子注入到碳化硅晶體中形成一個過渡層就足夠了。
而且他用的技術也并非純正的離子注入，正如之前有彈幕說的。
他使用的是離子摻雜，而且是離子摻雜中的‘滲透摻雜法’。
因為他手中并沒有離子注入機這種高科技東西，但這種晶體管又離不開N-漂移層。
所以他只能想辦法進行替代。
離子摻雜就是他想到的辦法。
這是一種合金工藝上的技術。
通過對應的化學藥劑來將一種金屬鍍在另外一種金屬表面。
最早其實出現在合金的冶煉上，后面被廣泛的應用到陶瓷、玻璃、復合物、聚合物等材料上。
不過相比較現代化的離子摻雜技術，韓元對此做出了一些改進。
比如玻璃容器中導電，在原本的離子摻雜中是沒有這一個步驟的。
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玻璃容器中，以稀硫酸和稀硝酸作為基地的溶液形成了電解液，溶液中的鋁離子通過加熱，通電，可以在碳化硅晶體上形成薄而相對均勻的摻雜層。
摻雜出來的N-漂移層也能起到足夠的作用，不過需要進行多次重復處理。
盡管摻雜法需要多次電解摻雜和淬火，而且在均勻性和深度上遠遠無法和離子注入相比。
但對于目前的他來說，這是最合適，也是最簡單的辦法了。
隨著酒精燈的不斷加熱，溶液中的水分被不斷的蒸發掉，容器中的鋁離子溶液也逐漸開始變得粘稠。
等到溶液已經無法覆蓋碳化硅晶體基底的時候，韓元斷掉了電源，將玻璃容器中的碳化硅晶材取出來，又倒掉已經被電解過的鋁離子溶液。
碳化硅晶材清洗干凈，然后吹干，重新刷上一層石蠟鍍層，再次進行摻雜注入。
按照標準流程，以他制造出來的鋁離子溶液的濃度需要進行重復六次的摻雜注入才能在碳化硅晶體底層形成一層可用的N-漂移層。
所以他還需要再重復五次摻雜注入，耗時最少要五個小時以上。
一下午，韓元就守在了化學實驗室中，不斷的重復著鋁離子摻雜的過程。
當然，大部分的普通人對于這種事情看一遍看個新鮮也就差不多了。
不過直播間里面蹲守的那些科學家感興趣的，其實也正是這個。
盡管離子摻雜技術在目前已經很成熟了，但韓元改進的‘電-熱離子滲透法’卻是一種全新的方式。
而且似乎還是一種可以應用到芯片基座上注入離子層的方式。
和韓元手中沒有關鍵性的儀器不同，有實力復核他的實驗的國家和實驗室手中基本都有相應的實驗儀器和鑒定儀器。
更關鍵的是，他們還擁有足夠的人手。
可以一邊完全按照直播進行復刻實驗，另一邊則將階段性的成果拿到專業的檢驗儀器上進行鑒定成果。
華國，京城，一間實驗室大門被人匆忙推開，一個青年手中拿著一疊A4紙張匆忙的闖了進來。
都來不及喘息，青年就揚起了手中的資料大聲喊道。
“組長，碳化硅晶材鋁離子的滲透檢測........結果出來了，這結果....結果太不可思議了。”
從呼吸的急促就可以判斷出來，這個青年是一路跑過來的。
燈光明亮的實驗室中，聽到聲音后，另一名正在按照直播進行再次摻雜鋁離子的中年男子迅速起身走過去，從青年手中接過資料翻閱了起來。
“一次滲透率為1.01325×10-15mD。”
“二次滲透率為1.78314×12-15mD。”