每年損失掉數百億米金的出口收入就算了，如果全世界都能制備單晶硅，那as對于他們單晶硅的依賴，將可以輕易的更換供貨商。
這是他們ou腹都無法挽回的損失。
硅核心外延法制備單晶硅優點有，缺點自然也是有的。
硅核心外延法制備單晶硅時，一般采用硅烷熱分解外延來處理。
但硅烷易燃易爆，所以硅烷外延的設備要求較高。
而且硅烷外延受硅烷純度的影響較大，外延層雜質的分布也比較難控制。
而且使用硅核心外延法制備單晶硅時，反應室中的反應是很復雜的。
有很多必須考慮的因素，比如沉積參數的變化范圍是很寬的，反應室內的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程、、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發想得到的反應等各種條件都需要考慮進去。
所以硅核心外延法相對于單晶爐制取單晶硅來說需要耗費更多的人力物理，以及更苛刻的條件。
不過這些對于韓元以及華國來說根本就不算什么。
韓元是手里有足夠的技術，而華國，龐大的人口就是底蘊。
帶著制備單晶硅的材料，韓元來到化學實驗室，先將所有的材料清洗干凈后再用蒸餾出來的純凈水清洗一遍。
盡量的減少附著在上面的雜質。
當然，這只是第一步，后面肯定還有繁多提純冶煉的步驟的。
單晶硅的純度小數點往后推移一點，制備的難度就呈幾何形式提升的。
雖然通過硅核心外延法制備出來的單晶硅純度能達到999999999以上。
但這只是理論階段，他目前根本就做不到這種純度的單晶硅冶煉提升。
環境和設備都達不到要求，以現在的情況來算，頂多能達到99999，不過用于制備毫米級的芯片倒是足夠了。
畢竟級別都在毫米級了，要求也不會很高。
清洗處理干凈原材料后，韓元一邊講解，一邊在化學實驗室里面開始處理基礎材料和溶液。
就像之前制備分布式布拉格反射鏡一樣，先在化學實驗室將一些能處理的基礎材料處理好，然后再運送到無塵工作室進行剩下的步驟。
其實碳化硅半導體晶材用來制造硅基芯片的基底也是可以的。
不過韓元還是選擇了單晶硅。
因為即便是選擇碳化硅半導體晶材來作為基底同樣要對其進行提純處理的，而且步驟還更加麻煩。
除此之外，韓元是知道現實社會中，全世界的單晶硅來源有百分之七十以上是由島國供應的。
作為世仇，韓元完全樂于給對方找點麻煩。
現在還只是一個單晶硅而已，要不是現在不合適也沒時間，韓元甚至有將島國掌握的頂級科技全部直播出來的想法。
要知道島國雖然是彈丸之國，但手中掌握的頂級科技還真不少。
甚至在不少方面就連它的老父親米國都不如。
比如單晶硅單晶爐、深度深海無人探測技術、數控機器人等方面。
在全世界占據的份額，都在百分之七十以上。
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