但是這個設備可能不是最先進的，巴統卡得太嚴。
“”可以，落后一至兩代，是可以接受的。
“陳中天說。”
那行，這樣更好。
“林國瑞教授說。”
好，下面來說手機，我在日本購買了小靈通技術，這是打擦邊球，他實際是在固話上的基礎上實現的。
我需要有人幫我消化這個技術。
“陳中天說。”
這個小靈通我知道，燕京有個叫斯達康的公司，在做這個，他們把PHS取了個中國名字叫‘小靈通’。
PHS是一種無線本地電話技術，采用2G通信。
這個PHS是日本那邊的技術，你是買到了日本的技術授權了吧？
“林玟書教授問。”
是的，我現在就是要把這套技術與中國固話嫁接到一起，這是個擦邊球，小靈通使用固話系統，可以繞開2G牌照。
斯達康公司的小靈通拿的就是固話牌照。
“陳中天答。
林玟書教授說，”恩，這個解決方法不復雜，只是需要時間，給我三個月，我就可以給你搞好。
“”好，下面就是高鐵技術了。
高鐵技術就比較多了，車頭里面就有很多、線路、信號、通訊方面也有很多，但是我不懂，我只懂一個就是剛才提到的高鐵技術里面的一個關鍵技術，大功率晶閘管，我一說林國瑞教授就能明白，可控硅，簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。
美國的西門康、仙童等在1700V以下電壓等級的消費IGBT領域，現在是處于世界優勢地位的，但是更高電壓的就不行了。
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；我們要研究的就是最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓的IGBT芯片。
該技術將是國際領先水平。
每一列高鐵大約用到3000～5000個芯片，鋪列開來有1平方米的面積，處理的是兆瓦級功率，一個芯片失效會導致高鐵故障。
無論軌道交通，還是新能源、工業變頻，都高度依賴這個東西。”
林國瑞教授說，“我明白了，由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
臥槽，陳中天你真專業，你連這么專業的領域都懂。
你不僅僅是互聯網領域的專家，靠，難怪斯坦福大學聘請你作教授。
你簡直就是天才。
佩服，太佩服你了。”